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ROHM SCT3105KLGC11 MOSFET, CANAL N, 1,2KV, 24A, 175°C, 134W

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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

N° du produit:
7014-2947070

Fabricant:
ROHM Semiconductor

N°. du fabricant:
SCT3105KLGC11

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.105 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Courant de drain Id 24 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-247N Tension Vds max.. 1.2 kV Dissipation de puissance 134 W Tension de seuil Vgs Max 5.6 V SVHC Lead (17-Jan-2023)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC)

Autres mots de recherche: (SiC), Carbide, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Silicon, Transistors, ROHM, SCT3105KLGC11, 2947070, 294-7070

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