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ROHM RD3P08BBDTL MOSFET CANAL N, 80A 100V TO-252

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Informations sur les produits

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N° du produit:
7014-2947701

Fabricant:
ROHM Semiconductor

N°. du fabricant:
RD3P08BBDTL

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 100v

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0086 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 80 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 119 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (17-Jan-2023)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: transistors de puissance, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ROHM, RD3P08BBDTL, 2947701, 294-7701

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