ROHM RJ1P12BBDTLL MOSFET CANAL N, 120A 100V TO-263AB

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0044 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 120 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-263AB Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 178 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (23-Jan-2024)