ONSEMI NVMFS6H864NT1G MOSFET, CANAL N, 80V, 21A, 175°C, 33W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0269 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 5 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 21 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor DFN Tension Vds max.. 80 V Dissipation de puissance 33 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (14-Jun-2023)