ONSEMI FDC6333C.. MOSFET CANAL P & N, 30V, 2.5A, SUPERSOT

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 2.5 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 2.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.095 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.095 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Dissipation de puissance Canal P 960 mW Dissipation de puissance, Canal P 960 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SuperSOT Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)