ONSEMI FDS6875 Drain Source Voltage Vds N Channel - Continuous Drain Current

Tension Drain Source Vds, Canal N - Courant de drain continu Id, Canal P 6 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N - Résistance Etat ON Drain Source, Canal N - Type de canal Canal P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.024 ohm Dissipation de puissance Canal P - Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)