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ONSEMI FQD17P06TM MOSFET, CANAL P, -60V, -12A, TO-252-3


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2985490
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQD17P06TM
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.11 ohm Gamme de produit QFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 12 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 2.5 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (27-Jun-2024)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ONSEMI, FQD17P06TM, 2985490, 298-5490
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