ROHM R6009JND3TL1 MOSFET CANAL N, 9A 600V TO-252

Tension de test Rds(on) 15 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.45 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 9 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 125 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 6 V SVHC Lead (23-Jan-2024)