VISHAY SIHB120N60E-GE3 MOSFET CANAL N, 25A 600V TO-263

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.104 ohm Gamme de produit E MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 25 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 179 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5 V SVHC Lead (19-Jan-2021)