VISHAY SIZF300DT-T1-GE3 MOSFET DOUBLE CANAL N, 30V 141A, 150°C

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit TrenchFET Gen IV SkyFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 141 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 9 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 141 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0016 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0016 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 74 W Dissipation de puissance, Canal P 74 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerPAIR Qualification - SVHC Lead (07-Nov-2024)