VISHAY SIHD2N80AE-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 2,9A, 150°C

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 2.5 ohm Gamme de produit E MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 2.9 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 62.5 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (19-Jan-2021)