VISHAY SQJ208EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 CANAL N DOUBLE 40V 60A

Tension Drain Source Vds, Canal N 40 V Gamme de produit TrenchFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 60 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 40 V Courant de drain continu Id, Canal N 60 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0032 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0032 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 48 W Dissipation de puissance, Canal P 48 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (07-Nov-2024)