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DIODES INC. DMN1019USN-7 MOSFET,CANAL N, 12V, 9,3A, SC-59

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N° du produit:
7014-3127593

Fabricant:
Diodes

N°. du fabricant:
DMN1019USN-7

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 12v

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.007 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 9.3 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SC-59 Tension Vds max.. 12 V Dissipation de puissance 680 mW Qualification - Tension de seuil Vgs Max 800 mV SVHC No SVHC (23-Jan-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: transistors de puissance, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, DIODES INC., DMN1019USN-7, 3127593, 312-7593

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