STMICROELECTRONICS STS8DN6LF6AG MOSFET, AEC-Q101, DOUBLE, N, 60V, SOIC

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Courant de drain continu Id, Canal P 8 A Gamme de produit - MSL MSL 3 - 168 heures Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 8 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.021 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.021 ohm Dissipation de puissance Canal P 3.2 W Dissipation de puissance, Canal P 3.2 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (15-Jan-2019)