STMICROELECTRONICS STD110N8F6 MOSFET, CANAL N, 80V, 80A, 175°C, 167W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0056 ohm Gamme de produit STripFET F6 MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 80 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 80 V Dissipation de puissance 167 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC No SVHC (15-Jan-2019)