STMICROELECTRONICS STD80N4F6 MOSFET, CANAL N, 40V, 80A, 175°C, 70W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0055 ohm Gamme de produit STripFET VI DeepGATE MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 80 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 40 V Dissipation de puissance 70 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (23-Jan-2024)