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ROHM R6011KND3TL1 MOSFET, CANAL N, 600V, 11A, 150°C, 124W

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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

N° du produit:
7014-3213676

Fabricant:
ROHM Semiconductor

N°. du fabricant:
R6011KND3TL1

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.34 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 11 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 124 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5 V SVHC Lead (23-Jan-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ROHM, R6011KND3TL1, 3213676, 321-3676

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