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ROHM R6011KND3TL1 MOSFET, CANAL N, 600V, 11A, 150°C, 124W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3213676
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     R6011KND3TL1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.34 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 11 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 124 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5 V SVHC Lead (17-Jan-2023)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ROHM, R6011KND3TL1, 3213676, 321-3676
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