ROHM R6504ENJTL MOSFET, CANAL N, 650V, 4A, 150°C, 58W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.955 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 4 A Type de boîtier de transistor TO-263S Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 58 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (23-Jan-2024)