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ROHM RD3H200SNTL1 MOSFET, CANAL N, 45V, 20A, 150°C, 20W

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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

N° du produit:
7014-3214717

Fabricant:
ROHM Semiconductor

N°. du fabricant:
RD3H200SNTL1

EAN/GTIN:
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Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.02 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 20 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 45 V Dissipation de puissance 20 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.5 V SVHC Lead (23-Jan-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ROHM, RD3H200SNTL1, 3214717, 321-4717

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