ONSEMI NVMFD6H852NLT1G MOSFET, DOUBLE, N, 80V, 25A, DFN

Tension Drain Source Vds, Canal N 80 V Courant de drain continu Id, Canal P 25 A Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 80 V Courant de drain continu Id, Canal N 25 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.021 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.021 ohm Dissipation de puissance Canal P 38 W Dissipation de puissance, Canal P 38 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor DFN Qualification - SVHC Lead (14-Jun-2023)