ONSEMI FCB110N65F MOSFET, CANAL N, 650V, 35A, 150°C, 357W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.096 ohm Gamme de produit SuperFET II FRFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 35 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 357 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5 V SVHC Lead (23-Jan-2024)