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ONSEMI FDBL86062-F085 MOSFET AEC-Q101 CANAL N, 100V, 300A 429W

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Informations sur les produits

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

N° du produit:
7014-3253678

Fabricant:
onsemi

N°. du fabricant:
FDBL86062-F085

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0015 ohm Gamme de produit PowerTrench Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 300 A Type de boîtier de transistor H-PSOF Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 429 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 3.1 V SVHC Lead (27-Jun-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ONSEMI, FDBL86062-F085, 3253678, 325-3678

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