Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 7014-3280635 N°. du fabricant: SIZF360DT-T1-GE3 EAN/GTIN: Pas d'information |
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| Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 143 A Gamme de produit TrenchFET Gen IV Series MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 143 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0016 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0016 ohm Dissipation de puissance Canal P 78 W Dissipation de puissance, Canal P 78 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerPAIR Qualification - SVHC Lead (19-Jan-2021) |
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| Autres mots de recherche: Composants, discrets, Double, puissance, Semiconducteurs, Transistors, VISHAY, SIZF360DT-T1-GE3, 3280635, 328-0635 |
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