VISHAY SIZ250DT-T1-GE3 MOSFET DOUBLE CANAL N, 60V 38A, 150°C

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Gamme de produit TrenchFET Gen IV Series Courant de drain continu Id, Canal P 38 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 38 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.01007 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.01007 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 33 W Dissipation de puissance, Canal P 33 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerPAIR Qualification - SVHC Lead (07-Nov-2024)