STMICROELECTRONICS STB10LN80K5 MOSFET, CANAL N, 800V, 8A, 150°C, 110W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.55 ohm Gamme de produit MDmesh K5 MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 8 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 110 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (16-Jan-2020)