STMICROELECTRONICS STH275N8F7-2AG MOSFET AEC-Q101 CANAL N, 80V, 180A 315W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0017 ohm Gamme de produit STripFET F7 MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 2 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 180 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 80 V Dissipation de puissance 315 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC No SVHC (16-Jan-2020)