STMICROELECTRONICS STS10P3LLH6 MOSFET, CANAL P 30V 12,5A 150ø, 2.7W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.01 ohm Gamme de produit STripFET H6 MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 12.5 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 2.7 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1.7 V SVHC No SVHC (16-Jan-2020)