ONSEMI NTMJS0D8N04CLTWG MOSFET, CANAL N, 40V, 368A, 175°C, 180W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 600 µohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 368 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor LFPAK Tension Vds max.. 40 V Dissipation de puissance 180 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2 V SVHC Lead (14-Jun-2023)