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ONSEMI NVBG020N090SC1 MOSFET, CANAL N, 900V, 112A, 175°C, 477W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3367862
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     NVBG020N090SC1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Tension de test Rds(on) 15 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.02 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Courant de drain Id 112 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 900 V Dissipation de puissance 477 W Tension de seuil Vgs Max 2.6 V SVHC Lead (14-Jun-2023)
Autres mots de recherche: (SiC), Carbide, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Silicon, Transistors, ONSEMI, NVBG020N090SC1, 3367862, 336-7862
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