ONSEMI FCB260N65S3 MOSFET, CANAL N, 650V, 12A, 150°C, 90W

Courant de drain Id 12 A Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 90 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC Lead (27-Jun-2024) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.222 ohm Gamme de produit SUPERFET III Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C