ONSEMI FCD2250N80Z MOSFET, CANAL N, 800V, 2,6A, 150°C, 39W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.87 ohm Gamme de produit SuperFET II Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 2.6 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 39 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC Lead (27-Jun-2024)