ONSEMI FDD5N50NZTM MOSFET, CANAL N, 500V, 4A, 150°C, 62W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.38 ohm Gamme de produit UniFET II Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 4 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 500 V Dissipation de puissance 62 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5 V SVHC Lead (23-Jan-2024)