ONSEMI NVMFS4C03NT1G MOSFET, CANAL N, 30V, 159A, 175°C, 77W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0014 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 159 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 77 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 2.2 V SVHC Lead (14-Jun-2023)