ONSEMI NVMFS5C645NLWFAFT1G MOSFET, CANAL N, 60V, 100A, 175°C, 79W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0033 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 5 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 100 A Type de boîtier de transistor ÁDFN Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 79 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 2 V SVHC Lead (27-Jun-2024)