DIODES INC. ZXMC10A816N8TC MOSFET, N & P-CH, 2.1A, 100V, 150DEG C

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Courant de drain continu Id, Canal P 2.1 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 2.1 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.17 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.17 ohm Dissipation de puissance Canal P 2.1 W Dissipation de puissance, Canal P 2.1 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)