NEXPERIA PDTA123ETVL TRANSISTOR RF, PNP, 50V, 0,1A, TO-236AB

Gamme de produit PDTA123E Series MSL MSL 1 - Illimité Résistance base R1 2.2 kohm Résistance Base-Emetteur R2 2.2 kohm Nbre de broches 3 broches Montage transistor Montage en surface Polarité transistor Simple PNP Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant Collecteur Continu 100 mA Type de boîtier de transistor TO-236AB Gain de courant DC hFE Min 30 hFE Dissipation de puissance 150 mW Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (27-Jun-2024) Tension Collecteur Emetteur Max PNP 50 V Tension Collecteur Emetteur Max NPN -