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VISHAY SQM120P10_10M1LGE3 MOSFET, CANAL P 100V 120A 175ø, 375W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3470663
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SQM120P10_10M1LGE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0081 ohm Gamme de produit TrenchFET Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 120 A Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 375 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 2 V SVHC Lead (07-Nov-2024)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SQM120P10_10M1LGE3, 3470663, 347-0663
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