VISHAY SQJQ980EL-T1_GE3 MOSFET, CANAL N, 80V, 36A, 175°C, 187W

Tension Drain Source Vds, Canal N 80 V Gamme de produit TrenchFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 36 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 80 V Courant de drain continu Id, Canal N 36 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0036 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0036 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 187 W Dissipation de puissance, Canal P 187 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (07-Nov-2024)