ROHM SP8M51HZGTB MOSFET, CANAL N & P, 100V, 3A, SOP

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 3 A MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 3 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.12 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.12 ohm Type de canal Canal N et P Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOP Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (23-Jan-2024)