VISHAY SIHB15N80AE-GE3 MOSFET,CANAL N, 800V, 13A, TO-263

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.304 ohm Gamme de produit E MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 13 A Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 156 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (07-Nov-2024)