VISHAY SQ4946CEY-T1_GE3 DOUBLE MOSFET CANAL N, 60V, 7A SOIC

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Gamme de produit TrenchFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 7 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 7 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.033 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.033 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 4 W Dissipation de puissance, Canal P 4 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (07-Nov-2024)