ROHM RV4C020ZPHZGTCR1 MOSFET CANAL P 20V 2A DFN1616

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.18 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 2 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor DFN1616 Tension Vds max.. 20 V Dissipation de puissance 1.5 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 1.3 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)