VISHAY SIA938DJT-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 20V, 4.5A, POWERPAK SC70

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 4.5 A Gamme de produit TrenchFET Gen IV Series Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 4.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.017 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.017 ohm Dissipation de puissance Canal P 7.8 W Dissipation de puissance, Canal P 7.8 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SC-70 Qualification - SVHC No SVHC (10-Jun-2022)