VISHAY SIHA24N80AE-GE3 MOSFET,CANAL N, 800V, 9A, TO-220FP

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.16 ohm Gamme de produit E Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 9 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220FP Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 35 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (19-Jan-2021)