NEXPERIA PMPB08R5XNX MOSFET,CANAL N, 30V, 11A, DFN2020M

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0085 ohm Gamme de produit Trench MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 11 A Type de boîtier de transistor DFN2020M Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 1.9 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 750 mV SVHC No SVHC (27-Jun-2024)