STMICROELECTRONICS STD12N60M6 MOSFET,CANAL N, 600V, 9A, TO-252

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.39 ohm Gamme de produit MDmesh M6 MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 9 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 96 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (19-Jan-2021)