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VISHAY SI4491EDY-T1-GE3 MOSFET CANAL P 30V 25,8A SOIC


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3772757
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI4491EDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0054 ohm Gamme de produit TrenchFET Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 25.8 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 6.9 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.8 V SVHC No SVHC (10-Jun-2022)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SI4491EDY-T1-GE3, 3772757, 377-2757
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