VISHAY SI5513CDC-T1-GE3 MOSFET DOUBLE COMPLEMENT 20V, 4A/CHIPFET

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 4 A Gamme de produit Trench Series Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 4 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.045 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.045 ohm Dissipation de puissance Canal P 3.1 W Dissipation de puissance, Canal P 3.1 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor ChipFET Qualification - SVHC No SVHC (10-Jun-2022)