VISHAY SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 12V 40A POWERPAK SO

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.002 ohm Gamme de produit TrenchFET Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Courant de drain Id 40 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Tension Vds max.. 12 V Dissipation de puissance 48 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1 V SVHC To Be Advised