VISHAY SIS990DN-T1-GE3 DOUBLE MOSFET, N, 100V, POWERPAK 1212

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit TrenchFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 12.1 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 12.1 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.071 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.071 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 25 W Dissipation de puissance, Canal P 25 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK 1212 Qualification - SVHC Lead (07-Nov-2024)